相应的MOF不仅保护了过氧化氢酶在酸性肿瘤微环境下的催化活性，从存储角使其能够自供给足够的O2，从存储角将O2直接注入MOF敏化的BQ内， 使得单线态氧的量子产率较高。

d)不同栅极电压下，度的区BSTS器件的磁阻曲线，内插为VG=-2V、T=2K的低磁场中测量的WAL效应，红色实线是使用HLN方程的拟合曲线。b)T=2K、数据B=2T时，BSTS器件纵向电导Gxx(黑色空心方块)随角度的变化，红色曲线是文中公式(1)拟合的结果，蓝色曲线是拟合得到的体态各向异性磁导。

【小结】综上所述，计算作者通过测量各向异性磁导率对拓扑绝缘体BiSbTeSe2(BSTS)中拓扑表面态的WAL效应进行了定量和精确分析。联系该研究结果为拓扑绝缘子中拓扑表面态WAL效应的精确的定量分析提供了一种替代途径。从存储角【引言】具有无能隙和螺旋狄拉克锥的拓扑保护表面态是三维拓扑绝缘体的显著特性之一。

图2各向异性磁阻(AMC)在x-z平面倾斜中随磁场的变化a)T=2K、度的区B=2T时，度的区BSTS器件纵向电导Gxx(黑色空心方块)随角度的变化，红色和绿色曲线分别是用不同公式拟合的对照结果。【成果简介】近日，数据香港科技大学王建农教授(通讯作者)课题组的李惠博士等人提出可通过测量各向异性磁导来准确定分析拓扑绝缘体BiSbTeSe2(BSTS)中拓扑表面态的WAL效应，数据并在NanoLett.上发表了题为QuantitativeAnalysisofWeakAntilocalizationEffectofTopologicalSurfaceStatesinTopologicalInsulatorBiSbTeSe2的研究论文。

d)T=2K和低磁场范围下的BSTS器件在不同的倾斜角θ下测量的磁导率随磁场法线分量的变化曲线，计算红色实线是使用HLN方程的拟合曲线。

联系文献链接：QuantitativeAnalysisofWeakAntilocalizationEffectofTopologicalSurfaceStatesinTopologicalInsulatorBiSbTeSe2(NanoLett.,2019,DOI:10.1021/acs.nanolett.8b05186)本文由材料人编辑部abc940504【肖杰】编译整理。马丁团队主要从事合成气转化、从存储角水活化、从存储角烃类选择转化和催化原位表征技术等方面等方面的研究，在费托合成、双金属催化体系、催化机理研究等方面取得了系列进展。

度的区投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaokefu。【常在Nature、数据Science上发文的团队】1.中科院金属所卢柯卢柯院士作为作为一名杰出的材料科学家，他的成长史充满了传奇的色彩。

计算次序机构名称发表文章数量1中科院182清华大学63北京大学64上海科技大学65中国科学技术大学46厦门大学47浙江大学48南京大学49天津大学410湖南大学3表中给出了在NS发文前10的大学排名。2014年获得北京大学王选青年学者奖，联系同年，应邀担任英国皇家化学会期刊CatalysisScienceTechnology副主编。